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乾照光电申请氮化镓系LED外延结构及其制备方法专利提高有源层的内量子效率提升LED芯片亮度
作者:管理员    发布于:2024-07-05 16:30:57    文字:【】【】【

  金融界2024年7月5日消息,天眼查知识产权信息显示,厦门乾照光电股份有限公司申请一项名为“一种氮化镓系LED外延结构及其制备方法“,公开号CN7.2,申请日期为2024年3月。

  专利摘要显示,本发明提供了一种氮化镓系LED外延结构及其制备方法,其所述有源层包括沿第一方向依次设置的第一复合区、应力过渡层以及第二复合区;通过所述应力过渡层的In组分设置,实现InGaN/GaN超晶格结构(即第一复合区)与主发光区(即第二复合区)之间的应力过渡,避免因InGaN/GaN超晶格结构中两材料晶格不匹配所带来的极化效应影响至主发光区;同时,通过所述应力过渡层的材料和厚度设置,使其等同于前置量子阱,以捕获通过V型坑中间的穿透位错中心泄露的载流子并使其进行辐射复合,进而提高有源层的内量子效率,提升LED芯片亮度。

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